Sep 19 2007
Memoria de 1000 de ori mai rapida decat flash-ul
Un grup de cercetatori de la Universitatea din Pennsylvania a realizat o noua tehnologie de memorie non-volatila de 
1000 ori mai rapida decat memoria flash si care poate stoca informatii timp de 100.000 ani. Grupul de cercetatori, condus de Ritesh Agarwal (in imagine), a realizat o varianta a memoriei cu schimbare de faza (Phase Change Memory - PCM sau PRAM), bazata pe nanofire auto-asamblate, realizate dintr-un material numit “germanium antimony telluride”, capabil sa treaca foarte repede de la starea amorfa la cea cristalina, un factor esential pentru acest tip de memorie.
